Мы ориентированы на предоставление комплексных решений по всей отраслевой цепочке для глобальных клиентов в области трубопроводных систем, конвейерных систем и соответствующего износостойкого оборудования.
Мы ориентированы на предоставление комплексных решений по всей отраслевой цепочке для глобальных клиентов в области трубопроводных систем, конвейерных систем и соответствующего износостойкого оборудования.
Карбид кремния пластины (SiC пластины) широко используются в различных областях промышленности благодаря своей исключительной твердости, высокой термостойкости и отличной химической инертности. Выбор подходящей пластины SiC требует тщательного анализа технических характеристик и учета конкретных условий эксплуатации. В этой статье мы рассмотрим основные аспекты выбора и применения карбид кремния пластин, чтобы помочь вам принять обоснованное решение.
Карбид кремния (SiC) - это полупроводниковое соединение кремния и углерода. Он известен своей исключительной твердостью (уступает только алмазу), высокой термостойкостью, отличной химической инертностью и полупроводниковыми свойствами.
При выборе карбид кремния пластины необходимо учитывать следующие ключевые параметры:
Существуют различные полиморфные модификации SiC, наиболее распространенными из которых являются 3C-SiC, 4H-SiC и 6H-SiC. Каждый политип имеет свои уникальные свойства. Для полупроводниковых применений наиболее часто используются 4H-SiC и 6H-SiC.
Размеры карбид кремния пластин обычно измеряются в дюймах (диаметр). Наиболее распространенные размеры: 2 дюйма, 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов и 8 дюймов. Выбор размера зависит от конкретного применения и оборудования, используемого в производственном процессе.
Кристаллическая ориентация карбид кремния пластины влияет на ее электрические и механические свойства. Наиболее распространенные ориентации: (0001) (C-грань) и (11-20) (A-грань). Выбор ориентации зависит от конкретного применения.
Качество поверхности карбид кремния пластины (шероховатость, наличие дефектов) играет важную роль в полупроводниковых применениях. Пластины должны иметь минимальное количество дефектов и низкую шероховатость поверхности для обеспечения высокого качества эпитаксиальных слоев.
Удельное сопротивление карбид кремния пластины определяет ее электрическую проводимость. Выбор удельного сопротивления зависит от конкретного применения. Для полупроводниковых применений обычно используются пластины с определенным диапазоном удельного сопротивления.
На российском рынке представлено несколько компаний, предлагающих карбид кремния пластины. При выборе поставщика рекомендуется учитывать следующие факторы:
Одной из компаний, предлагающих карбид кремния пластины, является Qishuai. Компания специализируется на производстве и поставке высококачественных карбидкремниевых изделий для различных отраслей промышленности. Обратитесь к специалистам Qishuai для подбора оптимального решения, отвечающего вашим требованиям.
Карбид кремния пластины широко используются в качестве подложек для эпитаксиального роста нитрида галлия (GaN). GaN на SiC используется для производства высокомощных и высокочастотных транзисторов, применяемых в радиочастотной технике и энергетической электронике.
Благодаря своей высокой термостойкости карбид кремния пластины используются в производстве высокотемпературных датчиков, работающих в экстремальных условиях (например, в двигателях внутреннего сгорания и газовых турбинах).
| Свойство | 3C-SiC | 4H-SiC | 6H-SiC |
|---|---|---|---|
| Ширина запрещенной зоны (eV) | 2.36 | 3.26 | 3.02 |
| Подвижность электронов (cm2/Vs) | 1000 | 800 | 400 |
| Теплопроводность (W/mK) | 370 | 490 | 370 |
*Данные могут незначительно отличаться в зависимости от производителя и конкретных условий.
Выбор подходящей карбид кремния пластины требует тщательного анализа технических характеристик и учета конкретных условий эксплуатации. Надеемся, что данное руководство поможет вам принять обоснованное решение при выборе и покупке карбид кремния пластин. Обратитесь к специалистам для получения консультации и подбора оптимального решения для ваших задач.
